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조건 | New & Original, tested |
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원산지 | Contact us |
마킹 코드 | Send by email |
전압 - 테스트: | 1400pF @ 40V |
전압 - 파괴: | Die |
아이디 @ VGS (일) (최대): | 3.2 mOhm @ 30A, 5V |
과학 기술: | GaNFET (Gallium Nitride) |
연속: | eGaN® |
RoHS 상태: | Tray |
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 31A (Ta) |
편광: | Die |
다른 이름들: | 917-EPC2029ENGR |
작동 온도: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형: | Surface Mount |
수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
제조업체 부품 번호: | EPC2029ENGR |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 13nC @ 5V |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs: | 2.5V @ 12mA |
FET 특징: | N-Channel |
확장 설명: | N-Channel 80V 31A (Ta) Surface Mount Die |
소스 전압에 드레인 (Vdss): | - |
기술: | TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 80V |
용량 비율: | - |
Email: | [email protected] |