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DMN2013UFX-7
DMN2013UFX-7
제품 모델:
DMN2013UFX-7
제조사:
Diodes Incorporated
기술:
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
31577 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
DMN2013UFX-7.pdf
문의

소개

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규격

조건 New & Original, tested
원산지 Contact us
마킹 코드 Send by email
전압 - 테스트:2607pF @ 10V
전압 - 파괴:W-DFN5020-6
아이디 @ VGS (일) (최대):11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
연속:-
RoHS 상태:Tape & Reel (TR)
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):10A
전력 - 최대:780mW
편광:6-VFDFN Exposed Pad
다른 이름들:DMN2013UFX-7DITR
작동 온도:-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
제조업체 표준 리드 타임:16 Weeks
제조업체 부품 번호:DMN2013UFX-7
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:57.4nC @ 8V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:1.1V @ 250µA
FET 특징:2 N-Channel (Dual) Common Drain
확장 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A 780mW Surface Mount W-DFN5020-6
소스 전압에 드레인 (Vdss):Logic Level Gate
기술:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):20V
Email:[email protected]

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