CSD19532KTT
제품 모델:
CSD19532KTT
제조사:
TI
기술:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
무연 상태:
무연 / RoHS 준수
재고 수량:
42393 Pieces
배달 시간:
1-2 days
리드 타임:
4-8 weeks
데이터 시트:
CSD19532KTT.pdf

소개

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규격

조건 New & Original, tested
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마킹 코드 Send by email
전압 - 테스트:5060pF @ 50V
전압 - 파괴:DDPAK/TO-263-3
아이디 @ VGS (일) (최대):5.6 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (최대):6V, 10V
과학 기술:MOSFET (Metal Oxide)
연속:NexFET™
RoHS 상태:Tape & Reel (TR)
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):200A (Ta)
편광:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
다른 이름들:296-44970-2
CSD19532KTT-ND
작동 온도:-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):2 (1 Year)
제조업체 표준 리드 타임:13 Weeks
제조업체 부품 번호:CSD19532KTT
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:57nC @ 10V
IGBT 유형:±20V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:3.2V @ 250µA
FET 특징:N-Channel
확장 설명:N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
소스 전압에 드레인 (Vdss):-
기술:MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):100V
용량 비율:250W (Tc)
Email:[email protected]

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