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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
電圧 - テスト: | 5060pF @ 50V |
電圧 - ブレークダウン: | DDPAK/TO-263-3 |
同上@ VGS(TH)(最大): | 5.6 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs(最大): | 6V, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | NexFET™ |
RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 200A (Ta) |
偏光: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
他の名前: | 296-44970-2 CSD19532KTT-ND |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 2 (1 Year) |
メーカーの標準リードタイム: | 13 Weeks |
製造元の部品番号: | CSD19532KTT |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 57nC @ 10V |
IGBTタイプ: | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 3.2V @ 250µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 100V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 100V |
静電容量比: | 250W (Tc) |
Email: | [email protected] |