CIG22ER50SNE은 지금 이용 가능합니다!LYNTEAM 기술은 CIG22ER50SNE의 스타킹 배포자이며, 즉시 배송을위한 주식이 있으며 장시간 공급 가능합니다.이메일로 CIG22ER50SNE에 대한 구매 계획을 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
LYNTEAM로 CIG22ER50SNE을 구입하고, 돈과 시간을 절약하십시오.
우리의 이메일 : [email protected].
CIG22ER50SNE
- 제품 모델:
- CIG22ER50SNE
- 기술:
- FIXED IND 500NH SMD
- 재고 수량:
- 34940 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- CIG22ER50SNE.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 유형: | Multilayer |
| 용인: | ±0.3nH |
| 제조업체 장치 패키지: | 1008 (2520 Metric) |
| 크기 / 치수: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| 차폐: | Shielded |
| 연속: | CIG22E |
| 등급: | - |
| Q 인자, 주파수: | - |
| 패키지 / 케이스: | 1008 (2520 Metric) |
| 작동 온도: | -40°C ~ 125°C |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 소재 - 코어: | - |
| 인덕턴스 주파수 - 테스트: | 1MHz |
| 인덕턴스: | 500nH |
| 높이 - 장착 (최대): | 0.035" (0.90mm) |
| 주파수 - 자기 공진: | - |
| 풍모: | - |
| 상세 설명: | 500nH Shielded Multilayer Inductor 1008 (2520 Metric) |
| DC 저항 (DCR): | - |
| 전류 - 포화: | - |
| Email: | [email protected] |
CIG22ER50SNE에 대한 관련 부품
Latest 뉴스
- Samsung과 Sk Hynix가 DDR3을 멈추고 프로모션 견적이 20 % 증가했다는 소문이 있습니다.
- Melexis는 MLX90427 : 라인 제어에 새로운 선택, 안전하고 효율적이며 경제적 인 출시
- NXP와 Ansonmei의 재무 보고서가 발표되었으며 구리 가격의 가격은 IC 산업으로 전달됩니다.
- Moels Micro Electronics는 중국 대만에 새로운 사무실을 설립하여 비즈니스 영토를 확장했습니다
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- SEF 반도체 (ST)의 1 분기 재무 보고서는 감소하고 자동차 수요가 둔화되었습니다.
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- 로컬 성숙한 칩 볼륨, 삼성 NAND 플래시 메모리 생산 용량 근처 부하
- Vishay는 최소 포장을 발사합니다. 높은 밝기 작은 파란색과 순수한 녹색 LED
- Ansonmei는 산업 및 운송 시장을위한 유도 포지션 센서를 시작했습니다.
- Ruisa는 전력 장치를 늘리기 위해 오래된 공장을 시작하고 지진은 DRAM 출력에 영향을 미칩니다.
- 마이크로 칩은 TSMC의 생산 능력을 가능하게하고 가격 인상