AS4C512M8D3-12BCNTR은 지금 이용 가능합니다!LYNTEAM 기술은 AS4C512M8D3-12BCNTR의 스타킹 배포자이며, 즉시 배송을위한 주식이 있으며 장시간 공급 가능합니다.이메일로 AS4C512M8D3-12BCNTR에 대한 구매 계획을 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
LYNTEAM로 AS4C512M8D3-12BCNTR을 구입하고, 돈과 시간을 절약하십시오.
우리의 이메일 : [email protected].
AS4C512M8D3-12BCNTR
- 제품 모델:
- AS4C512M8D3-12BCNTR
- 기술:
- IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
- 무연 상태:
- 무연 / RoHS 준수
- 재고 수량:
- 55793 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- AS4C512M8D3-12BCNTR.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지: | 15ns |
| 전압 - 공급: | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 과학 기술: | SDRAM - DDR3 |
| 제조업체 장치 패키지: | 78-FBGA (9x10.5) |
| 연속: | - |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | 78-TFBGA |
| 작동 온도: | 0°C ~ 95°C (TC) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
| 메모리 유형: | Volatile |
| 메모리 크기: | 4Gb (512M x 8) |
| 메모리 인터페이스: | Parallel |
| 메모리 형식: | DRAM |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 상세 설명: | SDRAM - DDR3 Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 800MHz 20ns 78-FBGA (9x10.5) |
| 클럭 주파수: | 800MHz |
| 액세스 시간: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
AS4C512M8D3-12BCNTR에 대한 관련 부품
Latest 뉴스
- Moels Micro Electronics는 중국 대만에 새로운 사무실을 설립하여 비즈니스 영토를 확장했습니다
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- SEF 반도체 (ST)의 1 분기 재무 보고서는 감소하고 자동차 수요가 둔화되었습니다.
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- 로컬 성숙한 칩 볼륨, 삼성 NAND 플래시 메모리 생산 용량 근처 부하
- Vishay는 최소 포장을 발사합니다. 높은 밝기 작은 파란색과 순수한 녹색 LED
- Ansonmei는 산업 및 운송 시장을위한 유도 포지션 센서를 시작했습니다.
- Ruisa는 전력 장치를 늘리기 위해 오래된 공장을 시작하고 지진은 DRAM 출력에 영향을 미칩니다.
- 마이크로 칩은 TSMC의 생산 능력을 가능하게하고 가격 인상
- Ruisa는 새로운 RA0 시리즈 Ultra -Low Power Entry -Level MCU를 출시했습니다.
- Melexis는 완전 통합 인덕터 스위치 칩을 출시합니다
- X-Fab