ADUM4070ARIZ-RL은 지금 이용 가능합니다!LYNTEAM 기술은 ADUM4070ARIZ-RL의 스타킹 배포자이며, 즉시 배송을위한 주식이 있으며 장시간 공급 가능합니다.이메일로 ADUM4070ARIZ-RL에 대한 구매 계획을 보내 주시면 계획에 따라 최상의 가격을 제공 할 것입니다.
LYNTEAM로 ADUM4070ARIZ-RL을 구입하고, 돈과 시간을 절약하십시오.
우리의 이메일 : [email protected].
ADUM4070ARIZ-RL
- 제품 모델:
- ADUM4070ARIZ-RL
- 기술:
- IC REG PUSH-PULL ISO ADJ 16SOIC
- 무연 상태:
- 무연 / RoHS 준수
- 재고 수량:
- 26242 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- ADUM4070ARIZ-RL.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 전압 - 출력 (최소 / 고정): | 3.3V |
| 전압 - 출력 (최대): | 24V |
| 전압 - 입력 (최소): | 3V |
| 전압 - 입력 (최대): | 7V |
| 토폴로지: | Push-Pull |
| 동기 정류기: | No |
| 제조업체 장치 패키지: | 16-SOIC-IC |
| 연속: | - |
| 포장: | Tape & Reel (TR) |
| 패키지 / 케이스: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 출력 유형: | Adjustable |
| 출력 구성: | Positive, Isolation Capable |
| 다른 이름들: | ADUM4070ARIZ-RL-ND ADUM4070ARIZ-RLTR |
| 작동 온도: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| 출력 수: | 1 |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 3 (168 Hours) |
| 제조업체 표준 리드 타임: | 9 Weeks |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Lead free / RoHS Compliant |
| 기능: | Step-Up/Step-Down |
| 주파수 - 전환: | 200kHz ~ 1MHz |
| 상세 설명: | Push-Pull Switching Regulator IC Positive, Isolation Capable Adjustable 3.3V 1 Output 350mA 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| 전류 - 출력: | 350mA |
| 기본 부품 번호: | ADUM4070 |
| Email: | [email protected] |
ADUM4070ARIZ-RL에 대한 관련 부품
Latest 뉴스
- HBM 생산 능력은 제외되며, DRAM 메모리는 하반기에 공급이 부족할 수 있습니다.
- 벽 창립자들은 끝나고 HBM 또는 DRAM이 다시 상승하게됩니다.
- AI 휴대 전화 및 PC 확장 수요, 글로벌 반도체 제조 산업 개선
- 네트워크 보안 이미지 센서에 대한 ADA 및 캐빈 모니터링 시스템의 요구 사항 이해
- Samsung과 Sk Hynix가 DDR3을 멈추고 프로모션 견적이 20 % 증가했다는 소문이 있습니다.
- Melexis는 MLX90427 : 라인 제어에 새로운 선택, 안전하고 효율적이며 경제적 인 출시
- NXP와 Ansonmei의 재무 보고서가 발표되었으며 구리 가격의 가격은 IC 산업으로 전달됩니다.
- Moels Micro Electronics는 중국 대만에 새로운 사무실을 설립하여 비즈니스 영토를 확장했습니다
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- SEF 반도체 (ST)의 1 분기 재무 보고서는 감소하고 자동차 수요가 둔화되었습니다.
- Texas Instruments의 성능은 여전히 높아지고 두 개의 스토리지 공장은 새로운 플래시 메모리 제품을 밀어 넣습니다.
- 로컬 성숙한 칩 볼륨, 삼성 NAND 플래시 메모리 생산 용량 근처 부하