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2N7636-GA
- 제품 모델:
- 2N7636-GA
- 기술:
- TRANS SJT 650V 4A TO276
- 무연 상태:
- 납 함유 / RoHS 비 준수
- 재고 수량:
- 59797 Pieces
- 배달 시간:
- 1-2 days
- 리드 타임:
- 4-8 weeks
- 데이터 시트:
- 2N7636-GA.pdf
소개
규격
| 조건 | New & Original, tested |
|---|---|
| 원산지 | Contact us |
| 마킹 코드 | Send by email |
| 아이디 @ VGS (일) (최대): | - |
| Vgs (최대): | - |
| 과학 기술: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 제조업체 장치 패키지: | TO-276 |
| 연속: | - |
| 이드의 Vgs @ RDS에서 (최대): | 415 mOhm @ 4A |
| 전력 소비 (최대): | 125W (Tc) |
| 포장: | Tube |
| 패키지 / 케이스: | TO-276AA |
| 다른 이름들: | 1242-1147 |
| 작동 온도: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| 실장 형: | Surface Mount |
| 수분 민감도 (MSL): | 1 (Unlimited) |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: | 324pF @ 35V |
| FET 유형: | - |
| FET 특징: | - |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): | - |
| 소스 전압에 드레인 (Vdss): | 650V |
| 상세 설명: | 650V 4A (Tc) (165°C) 125W (Tc) Surface Mount TO-276 |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id): | 4A (Tc) (165°C) |
| Email: | [email protected] |
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| 영상 | 제품 모델 | 제조업체 | 기술 | 전망 |
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