VLS252015T-3R3M1R0は今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはVLS252015T-3R3M1R0のストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
VLS252015T-3R3M1R0をLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
VLS252015T-3R3M1R0
- 部品型番:
- VLS252015T-3R3M1R0
- メーカー:
- TDK Corporation
- 説明:
- FIXED IND 3.3UH 1A 218 MOHM SMD
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 39985 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- VLS252015T-3R3M1R0.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| タイプ: | Wirewound |
| 公差: | ±20% |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 1008 (2520 Metric) |
| サイズ/寸法: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| 遮蔽: | Shielded |
| シリーズ: | VLS |
| 評価: | - |
| Qファクター@周波数: | - |
| パッケージング: | Original-Reel® |
| パッケージ/ケース: | 1008 (2520 Metric) |
| 他の名前: | 445-3678-6 |
| 運転温度: | -40°C ~ 105°C |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 材料 - コア: | - |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| インダクタンス周波数 - 試験: | 1MHz |
| インダクタンス: | 3.3µH |
| 高さ - 着席（最大）: | 0.039" (1.00mm) |
| 周波数 - 自己共振: | - |
| 詳細な説明: | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1A 218 mOhm Max 1008 (2520 Metric) |
| 直流抵抗（DCR）: | 218 mOhm Max |
| 定格電流: | 1A |
| 電流 - 飽和: | 1.4A |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのVLS252015T-3R3M1R0
最新ニュース
- ADIの性能が低下し、銅箔基板が上昇し、元の工場の保管が生産保守派を増やしました
- 車のインテリジェンスの波が来ていて、アイマス・オスランはサギタ・ジュグアンがMX lidarをリリースするのを助けました
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました