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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 250mV @ 300µA, 10mA |
トランジスタ型式: | PNP - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | NS-B1 |
シリーズ: | - |
抵抗器 - ベース(R1): | 4.7 kOhms |
電力 - 最大: | 300mW |
パッケージング: | Tape & Box (TB) |
パッケージ/ケース: | NS-B1 |
他の名前: | UNR41160RATB |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 80MHz |
詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 80MHz 300mW Through Hole NS-B1 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 160 @ 5mA, 10V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
Email: | [email protected] |