TK10Q60W,S1VQ
TK10Q60W,S1VQ
部品型番:
TK10Q60W,S1VQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
説明:
MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
38190 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
TK10Q60W,S1VQ.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
同上@ VGS(TH)(最大):3.7V @ 500µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:I-PAK
シリーズ:DTMOSIV
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):430 mOhm @ 4.9A, 10V
電力消費(最大):80W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-251-3 Stub Leads, IPak
他の名前:TK10Q60W,S1VQ(S
TK10Q60WS1VQ
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:700pF @ 300V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:20nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
詳細な説明:N-Channel 600V 9.7A (Ta) 80W (Tc) Through Hole I-PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):9.7A (Ta)
Email:[email protected]

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