TC58BVG2S0HTAI0は今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはTC58BVG2S0HTAI0のストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
TC58BVG2S0HTAI0をLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
TC58BVG2S0HTAI0
- 部品型番:
- TC58BVG2S0HTAI0
- 説明:
- IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 58431 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- TC58BVG2S0HTAI0.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 25ns |
| 電源電圧 - : | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 技術: | FLASH - NAND (SLC) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 48-TSOP I |
| シリーズ: | Benand™ |
| パッケージング: | Tray |
| パッケージ/ケース: | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| 他の名前: | TC58BVG2S0HTAI0B4H TC58BVG2S0HTAI0YCJ |
| 運転温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| メモリタイプ: | Non-Volatile |
| 記憶容量: | 4Gb (512M x 8) |
| メモリインタフェース: | Parallel |
| メモリ形式: | FLASH |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 詳細な説明: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I |
| アクセス時間: | 25ns |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのTC58BVG2S0HTAI0
最新ニュース
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量
- Vishayは、ミニルされたパッケージを発売します高い明るさの小さな青と純粋な緑のLED
- Ansonmeiは、産業および輸送市場向けに帰納的ポジションセンサーを立ち上げました
- Ruisaは古い工場を起動して電源装置を増やし、地震はDRAM出力穏やかに影響します
- MicrochipはTSMCの生産能力を有効にし、価格の上昇を引き上げます