STI23NM60N
STI23NM60N
部品型番:
STI23NM60N
メーカー:
STMicroelectronics
説明:
MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
23097 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
STI23NM60N.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±25V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:I2PAK
シリーズ:MDmesh™ II
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):180 mOhm @ 9.5A, 10V
電力消費(最大):150W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:2050pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:60nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
詳細な説明:N-Channel 600V 19A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):19A (Tc)
Email:[email protected]

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