SIA511DJ-T1-GE3は今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはSIA511DJ-T1-GE3のストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
SIA511DJ-T1-GE3をLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
SIA511DJ-T1-GE3
- 部品型番:
- SIA511DJ-T1-GE3
- 説明:
- MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 48348 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- SIA511DJ-T1-GE3.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 1V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V |
| 電力 - 最大: | 6.5W |
| パッケージング: | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 他の名前: | SIA511DJ-T1-GE3CT |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 400pF @ 6V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 12nC @ 8V |
| FETタイプ: | N and P-Channel |
| FET特長: | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 12V |
| 詳細な説明: | Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 4.5A |
| ベース部品番号: | SIA511 |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのSIA511DJ-T1-GE3
最新ニュース
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量