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SI7852DP-T1-GE3
- 部品型番:
- SI7852DP-T1-GE3
- 説明:
- MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 29812 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- SI7852DP-T1-GE3.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2V @ 250µA (Min) |
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® SO-8 |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 16.5 mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 1.9W (Ta) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | PowerPAK® SO-8 |
| 他の名前: | SI7852DP-T1-GE3-ND SI7852DP-T1-GE3TR |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 41nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 6V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 80V |
| 詳細な説明: | N-Channel 80V 7.6A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 7.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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