SI5446DU-T1-GE3は今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはSI5446DU-T1-GE3のストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
SI5446DU-T1-GE3をLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
SI5446DU-T1-GE3
- 部品型番:
- SI5446DU-T1-GE3
- 説明:
- MOSFET N-CH 30V 25A CHIPFET
- 在庫数量:
- 56700 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- SI5446DU-T1-GE3.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs（最大）: | +20V, -16V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PowerPAK® ChipFet Single |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 6.4 mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 31W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| メーカーの標準リードタイム: | 27 Weeks |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 1610pF @ 15V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 30nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 30V |
| 詳細な説明: | N-Channel 30V 25A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのSI5446DU-T1-GE3
最新ニュース
- Qorvoは業界の優れた高ゲイン5G MMIMO予選を発売しました
- シミュレーションサイクルインベントリボトムアウト、AIドライブフラッシュメモリ需要は継続します
- 工場を建設するためのMicronの計画、NANDフラッシュメモリを高価格またはメンテナンス
- ADIの性能が低下し、銅箔基板が上昇し、元の工場の保管が生産保守派を増やしました
- 車のインテリジェンスの波が来ていて、アイマス・オスランはサギタ・ジュグアンがMX lidarをリリースするのを助けました
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます