SI4823DY-T1-GE3
部品型番:
SI4823DY-T1-GE3
メーカー:
Electro-Films (EFI) / Vishay
説明:
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
57135 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
SI4823DY-T1-GE3.pdf

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
同上@ VGS(TH)(最大):1.5V @ 250µA
Vgs(最大):±12V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:8-SO
シリーズ:LITTLE FOOT®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):108 mOhm @ 3.3A, 4.5V
電力消費(最大):1.7W (Ta), 2.8W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前:SI4823DY-T1-GE3TR
SI4823DYT1GE3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:660pF @ 10V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:12nC @ 10V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:Schottky Diode (Isolated)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):2.5V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:20V
詳細な説明:P-Channel 20V 4.1A (Tc) 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):4.1A (Tc)
Email:[email protected]

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