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SI4511DY-T1-E3
- 部品型番:
- SI4511DY-T1-E3
- 説明:
- MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 43767 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- SI4511DY-T1-E3.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 1.8V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V |
| 電力 - 最大: | 1.1W |
| パッケージング: | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 他の名前: | SI4511DY-T1-E3CT |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
| FETタイプ: | N and P-Channel |
| FET特長: | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 20V |
| 詳細な説明: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 7.2A, 4.6A 1.1W Surface Mount 8-SO |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 7.2A, 4.6A |
| ベース部品番号: | SI4511 |
| Email: | [email protected] |
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