SI1026X-T1-E3は今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはSI1026X-T1-E3のストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
SI1026X-T1-E3をLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
SI1026X-T1-E3
- 部品型番:
- SI1026X-T1-E3
- 説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563F
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 21279 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- SI1026X-T1-E3.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| サプライヤデバイスパッケージ: | SC-89-6 |
| シリーズ: | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 1.4 Ohm @ 500mA, 10V |
| 電力 - 最大: | 250mW |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | SOT-563, SOT-666 |
| 他の名前: | SI1026X-T1-E3TR |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 30pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 0.6nC @ 4.5V |
| FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特長: | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 60V |
| 詳細な説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 305mA 250mW Surface Mount SC-89-6 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 305mA |
| ベース部品番号: | SI1026 |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのSI1026X-T1-E3
最新ニュース
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量
- Vishayは、ミニルされたパッケージを発売します高い明るさの小さな青と純粋な緑のLED
- Ansonmeiは、産業および輸送市場向けに帰納的ポジションセンサーを立ち上げました
- Ruisaは古い工場を起動して電源装置を増やし、地震はDRAM出力穏やかに影響します
- MicrochipはTSMCの生産能力を有効にし、価格の上昇を引き上げます
- Ruisaは新しいRA0シリーズUltra -Low Power Entry -Level MCUを発売しました
- Melexisは、完全な統合インダクタスイッチチップを起動します