PTZTE255.6Bは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはPTZTE255.6Bのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
PTZTE255.6BをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
PTZTE255.6B
- 部品型番:
- PTZTE255.6B
- メーカー:
- LAPIS Semiconductor
- 説明:
- DIODE ZENER 5.9V 1W PMDS
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 58634 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- PTZTE255.6B.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - 絶縁: | 8 Ohm |
| 電圧 - ブレークダウン: | PMDS |
| シリーズ: | - |
| RoHSステータス: | Tape & Reel (TR) |
| 電力 - 最大: | 1W |
| 偏光: | DO-214AC, SMA |
| 他の名前: | PTZTE255.6B-ND PTZTE255.6BTR PTZTE2556B |
| 運転温度: | - |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
| 製造元の部品番号: | PTZTE255.6B |
| インピーダンス（最大）（ZZT）: | 5.9V |
| 拡張された説明: | Zener Diode 1W ±6% Surface Mount PMDS |
| ESR（等価直列抵抗）: | ±6% |
| ダイオード構成: | 50µA @ 1.5V |
| 説明: | DIODE ZENER 5.9V 1W PMDS |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | - |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのPTZTE255.6B
最新ニュース
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量
- Vishayは、ミニルされたパッケージを発売します高い明るさの小さな青と純粋な緑のLED
- Ansonmeiは、産業および輸送市場向けに帰納的ポジションセンサーを立ち上げました
- Ruisaは古い工場を起動して電源装置を増やし、地震はDRAM出力穏やかに影響します
- MicrochipはTSMCの生産能力を有効にし、価格の上昇を引き上げます
- Ruisaは新しいRA0シリーズUltra -Low Power Entry -Level MCUを発売しました
- Melexisは、完全な統合インダクタスイッチチップを起動します
- X-FABは、CMOSセンサーのパフォーマンスを向上させるためにイメージセンサーバックイルミネーションテクノロジーを導入します
- 大規模なチップ工場は地震の影響を受けました。TSMCは緊急に動作を停止し、GPUの供給が不足していますか？
- NANDフラッシュメモリが続く、MCUデスクトリックボトムは正しい