NVD5867NLT4G-TB01
部品型番:
NVD5867NLT4G-TB01
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 60V 22A DPAK DPAK
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
54575 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
NVD5867NLT4G-TB01.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:DPAK-3
シリーズ:Automotive, AEC-Q101
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):39 mOhm @ 11A, 10V
電力消費(最大):3.3W (Ta), 43W (Tc)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:675pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:15nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):4.5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
詳細な説明:N-Channel 60V 6A (Ta), 22A (Tc) 3.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount DPAK-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):6A (Ta), 22A (Tc)
Email:[email protected]

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