NSVMMBT6520LT1Gは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはNSVMMBT6520LT1Gのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
NSVMMBT6520LT1GをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
NSVMMBT6520LT1G
- 部品型番:
- NSVMMBT6520LT1G
- 説明:
- TRANS PNP 350V 0.5A SOT23
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 21947 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- NSVMMBT6520LT1G.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 350V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大）: | 1V @ 5mA, 50mA |
| トランジスタ型式: | PNP |
| サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-23-3 (TO-236) |
| シリーズ: | - |
| 電力 - 最大: | 225mW |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 他の名前: | NSVMMBT6520LT1G-ND NSVMMBT6520LT1GOSTR |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 4 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 周波数 - トランジション: | 200MHz |
| 詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 500mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）: | 20 @ 50mA, 10V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 50nA (ICBO) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 500mA |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのNSVMMBT6520LT1G
最新ニュース
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量