NS12575T6R8NNは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはNS12575T6R8NNのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
NS12575T6R8NNをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
NS12575T6R8NN
- 部品型番:
- NS12575T6R8NN
- メーカー:
- Taiyo Yuden
- 説明:
- FIXED IND 6.8UH 5.84A 15.72 MOHM
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 42953 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| タイプ: | Wirewound |
| 公差: | ±30% |
| サプライヤデバイスパッケージ: | - |
| サイズ/寸法: | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
| 遮蔽: | Shielded |
| シリーズ: | NS |
| 評価: | - |
| Qファクター@周波数: | - |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | Nonstandard |
| 他の名前: | 587-2757-2 LM NS 12575T 6R8NN |
| 運転温度: | -40°C ~ 125°C |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 材料 - コア: | Ferrite |
| メーカーの標準リードタイム: | 13 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| インダクタンス周波数 - 試験: | 100kHz |
| インダクタンス: | 6.8µH |
| 高さ - 着席（最大）: | 0.309" (7.85mm) |
| 周波数 - 自己共振: | 24MHz |
| 詳細な説明: | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 5.84A 15.72 mOhm Max Nonstandard |
| 直流抵抗（DCR）: | 15.72 mOhm Max |
| 定格電流: | 5.84A |
| 電流 - 飽和: | 10.02A |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのNS12575T6R8NN
最新ニュース
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量
- Vishayは、ミニルされたパッケージを発売します高い明るさの小さな青と純粋な緑のLED
- Ansonmeiは、産業および輸送市場向けに帰納的ポジションセンサーを立ち上げました
- Ruisaは古い工場を起動して電源装置を増やし、地震はDRAM出力穏やかに影響します
- MicrochipはTSMCの生産能力を有効にし、価格の上昇を引き上げます