MT9M031I12STM-DRBR1は今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはMT9M031I12STM-DRBR1のストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
MT9M031I12STM-DRBR1をLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
MT9M031I12STM-DRBR1
- 部品型番:
- MT9M031I12STM-DRBR1
- 説明:
- SENSOR IMAGE 1.2MP CMOS 48-LCC
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 45630 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- MT9M031I12STM-DRBR1.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電源電圧 - : | 1.8V, 2.8V |
| タイプ: | CMOS |
| シリーズ: | - |
| 画素サイズ: | 3.75µm x 3.75µm |
| 運転温度: | -30°C ~ 70°C |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 4 (72 Hours) |
| メーカーの標準リードタイム: | 19 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 1秒当たりのフレーム数: | 60 |
| 詳細な説明: | CMOS Image Sensor 1280H x 960V 3.75µm x 3.75µm |
| アクティブピクセルアレイ: | 1280H x 960V |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのMT9M031I12STM-DRBR1
最新ニュース
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量
- Vishayは、ミニルされたパッケージを発売します高い明るさの小さな青と純粋な緑のLED