MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TRは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはMT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TRのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TRをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR
- 部品型番:
- MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR
- メーカー:
- Micron Technology
- 説明:
- IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA
- 在庫数量:
- 58238 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | - |
| 電源電圧 - : | 1.1V |
| 技術: | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| シリーズ: | - |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| 他の名前: | MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR-ND MT53D256M64D4NY-046 XTES:BTR MT53D256M64D4NY-046 XTES:BTR-ND MT53D256M64D4NY-046XTES:BTR |
| 運転温度: | -30°C ~ 105°C (TC) |
| メモリタイプ: | Volatile |
| 記憶容量: | 16Gb (256M x 64) |
| メモリインタフェース: | - |
| メモリ形式: | DRAM |
| 鉛フリーステータス: | Lead free |
| 詳細な説明: | SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16Gb (256M x 64) 2133MHz |
| クロック周波数: | 2133MHz |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのMT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR
最新ニュース
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量