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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 7mA |
Vgs(最大): | +22V, -6V |
技術: | SiCFET (Silicon Carbide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-247-3 |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 150 mOhm @ 14A, 20V |
電力消費(最大): | 139W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-247-3 |
他の名前: | F11004 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 29 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1125pF @ 800V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 80nC @ 20V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 20V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 1200V |
詳細な説明: | N-Channel 1200V 27A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 27A (Tc) |
Email: | [email protected] |