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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 30V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 500mV @ 100mA, 1A |
トランジスタ型式: | NPN |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 800mW |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 130MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 1A 130MHz 800mW Through Hole TO-92-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 200 @ 100mA, 1V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 1A |
ベース部品番号: | KSD471 |
Email: | [email protected] |