JAN1N3647は今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはJAN1N3647のストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
JAN1N3647をLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
JAN1N3647
- 部品型番:
- JAN1N3647
- メーカー:
- Microsemi
- 説明:
- DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL
- 鉛フリー:
- リード/ RoHS非対応
- 在庫数量:
- 34623 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- JAN1N3647.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - ピーク逆（最大）: | Standard |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@: | 250mA |
| 電圧 - ブレークダウン: | S, Axial |
| シリーズ: | Military, MIL-PRF-19500/279 |
| RoHSステータス: | Bulk |
| 逆回復時間（trrの）: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| もし、F @抵抗: | - |
| 偏光: | S, Axial |
| 他の名前: | 1086-16800 1086-16800-MIL |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
| 製造元の部品番号: | JAN1N3647 |
| 拡張された説明: | Diode Standard 3000V (3kV) 250mA Through Hole S, Axial |
| ダイオード構成: | 5µA @ 1500V |
| 説明: | DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 5V @ 250mA |
| 電流 - 平均整流（イオ）（ダイオード当たり）: | 3000V (3kV) |
| Vrと、F @キャパシタンス: | -65°C ~ 150°C |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのJAN1N3647
| 絵 | 部品型番 | メーカー | 説明 | ビュー |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN1N3600 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7 | オンラインお問い合わせ |
|
JAN1N3768R | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB | オンラインお問い合わせ |
|
JAN1N3671R | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | オンラインお問い合わせ |
|
JAN1N3673AR | Microsemi | DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA | オンラインお問い合わせ |
|
JAN1N3673A | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | オンラインお問い合わせ |
|
JAN1N3644 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL | オンラインお問い合わせ |
|
JAN1N3671A | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | オンラインお問い合わせ |
 |
JAN1N3611 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL | オンラインお問い合わせ |
|
JAN1N3766R | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB | オンラインお問い合わせ |
 |
JAN1N3821A-1 | Microsemi Corporation | DIODE ZENER 3.3V 1W DO41 | オンラインお問い合わせ |
|
JAN1N3595AUS | Microsemi | DIODE GEN PURP 125V 150MA | オンラインお問い合わせ |
|
JAN1N3645 | Microsemi | DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL | オンラインお問い合わせ |
|
JAN1N3595UR-1 | Microsemi | DIODE GP 125V 150MA DO213AA | オンラインお問い合わせ |
|
JAN1N3768 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB | オンラインお問い合わせ |
 |
JAN1N3613 | Microsemi | DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL | オンラインお問い合わせ |
 |
JAN1N3612 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL | オンラインお問い合わせ |
|
JAN1N3671AR | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA | オンラインお問い合わせ |
 |
JAN1N3614 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL | オンラインお問い合わせ |
|
JAN1N3646 | Microsemi | DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL | オンラインお問い合わせ |
|
JAN1N3766 | Microsemi | DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB | オンラインお問い合わせ |
最新ニュース
- ARMはComputex 2024に登場しました：2025年末までに1,000億個以上のARMデバイスをAIに使用できると予想されます
- Qorvoは業界の優れた高ゲイン5G MMIMO予選を発売しました
- シミュレーションサイクルインベントリボトムアウト、AIドライブフラッシュメモリ需要は継続します
- 工場を建設するためのMicronの計画、NANDフラッシュメモリを高価格またはメンテナンス
- ADIの性能が低下し、銅箔基板が上昇し、元の工場の保管が生産保守派を増やしました
- 車のインテリジェンスの波が来ていて、アイマス・オスランはサギタ・ジュグアンがMX lidarをリリースするのを助けました
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール