IXTY1R4N120PHV
部品型番:
IXTY1R4N120PHV
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH
在庫数量:
24196 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
IXTY1R4N120PHV.pdf

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
同上@ VGS(TH)(最大):4.5V @ 100µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-252
シリーズ:Polar™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):13 Ohm @ 700mA, 10V
電力消費(最大):86W (Tc)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
メーカーの標準リードタイム:24 Weeks
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:666pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:24.8nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1200V
詳細な説明:N-Channel 1200V 1.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):1.4A (Tc)
Email:[email protected]

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