IXFM35N30
部品型番:
IXFM35N30
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
POWER MOSFET TO-3
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
49318 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
IXFM35N30.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 4mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-204AE
シリーズ:HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):100 mOhm @ 17.5A, 10V
電力消費(最大):300W (Tc)
パッケージ/ケース:TO-204AE
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:4800pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:200nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:300V
詳細な説明:N-Channel 300V 35A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-204AE
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):35A (Tc)
Email:[email protected]

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