IXDN609SIATRは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはIXDN609SIATRのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
IXDN609SIATRをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
IXDN609SIATR
- 部品型番:
- IXDN609SIATR
- 説明:
- IC GATE DVR 9A NON-INV 8SOIC
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 55643 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- IXDN609SIATR.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電源電圧 - : | 4.5 V ~ 35 V |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SOIC |
| シリーズ: | - |
| 立上り/立下り時間（Typ）: | 22ns, 15ns |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力周波数: | 1 |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 7 Weeks |
| ロジック電圧 - VIL、VIH: | 0.8V, 3V |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力タイプ: | Non-Inverting |
| ゲートタイプ: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 駆動構成: | Low-Side |
| 詳細な説明: | Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）: | 9A, 9A |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大）: | Single |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのIXDN609SIATR
最新ニュース
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量
- Vishayは、ミニルされたパッケージを発売します高い明るさの小さな青と純粋な緑のLED
- Ansonmeiは、産業および輸送市場向けに帰納的ポジションセンサーを立ち上げました
- Ruisaは古い工場を起動して電源装置を増やし、地震はDRAM出力穏やかに影響します
- MicrochipはTSMCの生産能力を有効にし、価格の上昇を引き上げます
- Ruisaは新しいRA0シリーズUltra -Low Power Entry -Level MCUを発売しました
- Melexisは、完全な統合インダクタスイッチチップを起動します