IS61WV51216EDALL-20BLIは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはIS61WV51216EDALL-20BLIのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
IS61WV51216EDALL-20BLIをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
IS61WV51216EDALL-20BLI
- 部品型番:
- IS61WV51216EDALL-20BLI
- 説明:
- IC SRAM 8M PARALLEL 48MGA
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 59024 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- IS61WV51216EDALL-20BLI.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 20ns |
| 電源電圧 - : | 1.65 V ~ 2.2 V |
| 技術: | SRAM - Asynchronous |
| シリーズ: | - |
| 運転温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| メモリタイプ: | Volatile |
| 記憶容量: | 8Mb (512K x 16) |
| メモリインタフェース: | Parallel |
| メモリ形式: | SRAM |
| メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 詳細な説明: | SRAM - Asynchronous Memory IC 8Mb (512K x 16) Parallel 20ns |
| アクセス時間: | 20ns |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのIS61WV51216EDALL-20BLI
最新ニュース
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量