IRG4BC20UDは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはIRG4BC20UDのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
IRG4BC20UDをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
IRG4BC20UD
- 部品型番:
- IRG4BC20UD
- 説明:
- IGBT 600V 13A 60W TO220AB
- 鉛フリー:
- リード/ RoHS非対応
- 在庫数量:
- 35204 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- IRG4BC20UD.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 600V |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大）: | 2.1V @ 15V, 6.5A |
| 試験条件: | 480V, 6.5A, 50 Ohm, 15V |
| Td（オン/オフ）@ 25℃: | 39ns/93ns |
| エネルギーの切り替え: | 160µJ (on), 130µJ (off) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-220AB |
| シリーズ: | - |
| 逆回復時間（trrの）: | 37ns |
| 電力 - 最大: | 60W |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
| 他の名前: | *IRG4BC20UD |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 入力タイプ: | Standard |
| IGBTタイプ: | - |
| ゲートチャージ: | 27nC |
| 詳細な説明: | IGBT 600V 13A 60W Through Hole TO-220AB |
| 電流 - コレクタパルス（ICM）: | 52A |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 13A |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのIRG4BC20UD
最新ニュース
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量