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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
同上@ VGS(TH)(最大): | 2.35V @ 25µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | DIRECTFET™ SQ |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 3.8 mOhm @ 19A, 10V |
電力消費(最大): | 2.2W (Ta), 42W (Tc) |
パッケージング: | Cut Tape (CT) |
パッケージ/ケース: | DirectFET™ Isometric SQ |
他の名前: | IRF6711STR1PBFCT |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1810pF @ 13V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 20nC @ 4.5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 25V |
詳細な説明: | N-Channel 25V 19A (Ta), 84A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 19A (Ta), 84A (Tc) |
Email: | [email protected] |