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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
同上@ VGS(TH)(最大): | 3.5V @ 440µA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO262-3 |
シリーズ: | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 280 mOhm @ 4.4A, 10V |
電力消費(最大): | 104W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前: | IPI65R280C6 IPI65R280C6-ND SP000785056 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 950pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 45nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 650V |
詳細な説明: | N-Channel 650V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 13.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |