HMS1201S111Pは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはHMS1201S111Pのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
HMS1201S111PをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
HMS1201S111P
- 部品型番:
- HMS1201S111P
- 説明:
- RELAY GEN PURPOSE DPDT 2A 28V
- 鉛フリー:
- リード/ RoHS非対応
- 在庫数量:
- 46771 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- HMS1201S111P.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| ターンオン電圧（最大）: | 11.4 VDC |
| オフ電圧（最小）: | 1.1 VDC |
| 結線スタイル: | PC Pin |
| スイッチング電圧: | 28VDC - Nom |
| シリーズ: | Military, MIL-R-39016/44, HMS, CII |
| リリースタイム: | 5ms |
| リレータイプ: | General Purpose |
| パッケージング: | Bulk |
| 他の名前: | 1122-1047 1122-1047-MIL 3-1617039-1 A101604 A101604-ND M39016/44-035P |
| 運転温度: | -65°C ~ 125°C |
| 時間を操作します: | 6ms |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 13 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 特徴: | Sealed - Hermetically |
| 詳細な説明: | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Through Hole |
| 連絡先の評価（現在）: | 2A |
| コンタクト材質: | Silver (Ag), Gold (Au) |
| お問い合わせフォーム: | DPDT (2 Form C) |
| コイル電圧: | 26.5VDC |
| コイルタイプ: | Non Latching |
| コイル抵抗: | 1.03 kOhms |
| コイル電力: | 682 mW |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのHMS1201S111P
最新ニュース
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量