FQB17N08LTM
FQB17N08LTM
部品型番:
FQB17N08LTM
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
30402 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
FQB17N08LTM.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
同上@ VGS(TH)(最大):2V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:D²PAK (TO-263AB)
シリーズ:QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):100 mOhm @ 8.25A, 10V
電力消費(最大):3.75W (Ta), 65W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:520pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:11.5nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:80V
詳細な説明:N-Channel 80V 16.5A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):16.5A (Tc)
Email:[email protected]

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