FDP038AN06A0-F102
部品型番:
FDP038AN06A0-F102
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
58287 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
FDP038AN06A0-F102.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220-3
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):3.8 mOhm @ 80A, 10V
電力消費(最大):310W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
他の名前:FDP038AN06A0_F102
FDP038AN06A0_F102-ND
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:11 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:6400pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:124nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:60V
詳細な説明:N-Channel 60V 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):80A (Tc)
Email:[email protected]

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