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EMD12T2R
- 部品型番:
- EMD12T2R
- メーカー:
- LAPIS Semiconductor
- 説明:
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 43600 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- 1.EMD12T2R.pdf2.EMD12T2R.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 50V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大）: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| トランジスタ型式: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | EMT6 |
| シリーズ: | - |
| 抵抗器ベース（R2）: | 47 kOhms |
| 抵抗器 - ベース（R1）: | 47 kOhms |
| 電力 - 最大: | 150mW |
| パッケージング: | Cut Tape (CT) |
| パッケージ/ケース: | SOT-563, SOT-666 |
| 他の名前: | EMD12T2RCT |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 10 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 周波数 - トランジション: | 250MHz |
| 詳細な説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6 |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）: | 68 @ 5mA, 5V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 500nA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 100mA |
| ベース部品番号: | MD12 |
| Email: | [email protected] |
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