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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
同上@ VGS(TH)(最大): | 1V @ 250µA |
Vgs(最大): | ±8V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | DFN2015H4-3 |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 39 mOhm @ 4A, 4.5V |
電力消費(最大): | 400mW (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 3-XFDFN |
他の名前: | DMG3415UFY4-7DITR DMG3415UFY47 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 281.9pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 10nC @ 4.5V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 16V |
詳細な説明: | P-Channel 16V 2.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount DFN2015H4-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 2.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |