CV201210-3R9Kは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはCV201210-3R9Kのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
CV201210-3R9KをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
CV201210-3R9K
- 部品型番:
- CV201210-3R9K
- メーカー:
- Bourns, Inc.
- 説明:
- FIXED IND 3.9UH 30MA 900 MOHM
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 58843 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| タイプ: | Multilayer |
| 公差: | ±10% |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 0805 (2012 Metric) |
| サイズ/寸法: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| 遮蔽: | Shielded |
| シリーズ: | CV201210 |
| 評価: | - |
| Qファクター@周波数: | 45 @ 10MHz |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 0805 (2012 Metric) |
| 運転温度: | -55°C ~ 125°C |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 材料 - コア: | Ferrite |
| メーカーの標準リードタイム: | 20 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| インダクタンス周波数 - 試験: | 10MHz |
| インダクタンス: | 3.9µH |
| 高さ - 着席（最大）: | 0.057" (1.45mm) |
| 周波数 - 自己共振: | 38MHz |
| 詳細な説明: | 3.9µH Shielded Multilayer Inductor 30mA 900 mOhm Max 0805 (2012 Metric) |
| 直流抵抗（DCR）: | 900 mOhm Max |
| 定格電流: | 30mA |
| 電流 - 飽和: | - |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのCV201210-3R9K
最新ニュース
- Qorvoは業界の優れた高ゲイン5G MMIMO予選を発売しました
- シミュレーションサイクルインベントリボトムアウト、AIドライブフラッシュメモリ需要は継続します
- 工場を建設するためのMicronの計画、NANDフラッシュメモリを高価格またはメンテナンス
- ADIの性能が低下し、銅箔基板が上昇し、元の工場の保管が生産保守派を増やしました
- 車のインテリジェンスの波が来ていて、アイマス・オスランはサギタ・ジュグアンがMX lidarをリリースするのを助けました
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます