BAS516,L3Fは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはBAS516,L3Fのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
BAS516,L3FをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
BAS516,L3F
- 部品型番:
- BAS516,L3F
- 説明:
- DIODE GEN PURP 100V 250MA ESC
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 31658 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- BAS516,L3F.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@: | 1.25V @ 150mA |
| 電圧 - 逆（VR）（最大）: | 100V |
| サプライヤデバイスパッケージ: | ESC |
| 速度: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| シリーズ: | - |
| 逆回復時間（trrの）: | 3ns |
| パッケージ/ケース: | SC-79, SOD-523 |
| 他の名前: | BAS516L3F |
| 動作温度 - ジャンクション: | 150°C (Max) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 詳細な説明: | Diode Standard 100V 250mA Surface Mount ESC |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 200nA @ 80V |
| 電流 - 平均整流（イオ）: | 250mA |
| Vrと、F @キャパシタンス: | 0.35pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのBAS516,L3F
最新ニュース
- ARMはComputex 2024に登場しました：2025年末までに1,000億個以上のARMデバイスをAIに使用できると予想されます
- Qorvoは業界の優れた高ゲイン5G MMIMO予選を発売しました
- シミュレーションサイクルインベントリボトムアウト、AIドライブフラッシュメモリ需要は継続します
- 工場を建設するためのMicronの計画、NANDフラッシュメモリを高価格またはメンテナンス
- ADIの性能が低下し、銅箔基板が上昇し、元の工場の保管が生産保守派を増やしました
- 車のインテリジェンスの波が来ていて、アイマス・オスランはサギタ・ジュグアンがMX lidarをリリースするのを助けました
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール