AS6C2016-55BINTR
AS6C2016-55BINTR
部品型番:
AS6C2016-55BINTR
メーカー:
Alliance Memory, Inc.
説明:
IC SRAM 2M PARALLEL 48TFBGA
鉛フリー:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
27797 Pieces
配達時間:
1-2 days
配達時間:
4-8 weeks
データシート:
AS6C2016-55BINTR.pdf

簡潔な

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規格

状況 New & Original, tested
原産国 Contact us
タグコード Send by email
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ:55ns
電源電圧 - :2.7 V ~ 5.5 V
技術:SRAM - Asynchronous
サプライヤデバイスパッケージ:48-TFBGA (6x8)
シリーズ:-
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:48-TFBGA
運転温度:-40°C ~ 85°C (TA)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):3 (168 Hours)
メモリタイプ:Volatile
記憶容量:2Mb (128K x 16)
メモリインタフェース:Parallel
メモリ形式:SRAM
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
詳細な説明:SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (6x8)
アクセス時間:55ns
Email:[email protected]

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