AS4C32M16D1A-5TINは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはAS4C32M16D1A-5TINのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
AS4C32M16D1A-5TINをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
AS4C32M16D1A-5TIN
- 部品型番:
- AS4C32M16D1A-5TIN
- 説明:
- IC DRAM 512M PARALLEL 66TSOP II
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 58296 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- AS4C32M16D1A-5TIN.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ: | 15ns |
| 電源電圧 - : | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 技術: | SDRAM - DDR |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 66-TSOP II |
| シリーズ: | - |
| パッケージング: | Tray |
| パッケージ/ケース: | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| 他の名前: | 1450-1287 |
| 運転温度: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| メモリタイプ: | Volatile |
| 記憶容量: | 512Mb (32M x 16) |
| メモリインタフェース: | Parallel |
| メモリ形式: | DRAM |
| メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 詳細な説明: | SDRAM - DDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II |
| クロック周波数: | 200MHz |
| アクセス時間: | 700ps |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのAS4C32M16D1A-5TIN
最新ニュース
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量
- Vishayは、ミニルされたパッケージを発売します高い明るさの小さな青と純粋な緑のLED
- Ansonmeiは、産業および輸送市場向けに帰納的ポジションセンサーを立ち上げました
- Ruisaは古い工場を起動して電源装置を増やし、地震はDRAM出力穏やかに影響します
- MicrochipはTSMCの生産能力を有効にし、価格の上昇を引き上げます
- Ruisaは新しいRA0シリーズUltra -Low Power Entry -Level MCUを発売しました
- Melexisは、完全な統合インダクタスイッチチップを起動します
- X-FABは、CMOSセンサーのパフォーマンスを向上させるためにイメージセンサーバックイルミネーションテクノロジーを導入します
- 大規模なチップ工場は地震の影響を受けました。TSMCは緊急に動作を停止し、GPUの供給が不足していますか？