AFT05MS006NT1は今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーはAFT05MS006NT1のストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
AFT05MS006NT1をLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
AFT05MS006NT1
- 部品型番:
- AFT05MS006NT1
- 説明:
- FET RF 30V 520MHZ PLD
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 56814 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- AFT05MS006NT1.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - テスト: | 7.5V |
| 電圧 - 定格: | 30V |
| トランジスタ型式: | LDMOS |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PLD-1.5W-2 |
| シリーズ: | - |
| 電力出力: | 6W |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | PLD-1.5W |
| 他の名前: | 935311718515 AFT05MS006NT1-ND AFT05MS006NT1TR |
| 雑音指数: | - |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 利得: | 18.3dB |
| 周波数: | 520MHz |
| 詳細な説明: | RF Mosfet LDMOS 7.5V 100mA 520MHz 18.3dB 6W PLD-1.5W-2 |
| 定格電流: | - |
| 電流 - テスト: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルのAFT05MS006NT1
最新ニュース
- ARMはComputex 2024に登場しました：2025年末までに1,000億個以上のARMデバイスをAIに使用できると予想されます
- Qorvoは業界の優れた高ゲイン5G MMIMO予選を発売しました
- シミュレーションサイクルインベントリボトムアウト、AIドライブフラッシュメモリ需要は継続します
- 工場を建設するためのMicronの計画、NANDフラッシュメモリを高価格またはメンテナンス
- ADIの性能が低下し、銅箔基板が上昇し、元の工場の保管が生産保守派を増やしました
- 車のインテリジェンスの波が来ていて、アイマス・オスランはサギタ・ジュグアンがMX lidarをリリースするのを助けました
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール