36501E2N2JTDGは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーは36501E2N2JTDGのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
36501E2N2JTDGをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
36501E2N2JTDG
- 部品型番:
- 36501E2N2JTDG
- 説明:
- FIXED IND 2.2NH 960MA 70 MOHM
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 58744 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| タイプ: | Wirewound |
| 公差: | ±5% |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 0402 (1005 Metric) |
| サイズ/寸法: | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| 遮蔽: | Unshielded |
| シリーズ: | 3650, Sigma Inductors |
| 評価: | - |
| Qファクター@周波数: | 19 @ 250MHz |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 0402 (1005 Metric) |
| 他の名前: | 1-1624112-5 116241125 A103705TR |
| 運転温度: | -40°C ~ 125°C |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 材料 - コア: | - |
| メーカーの標準リードタイム: | 28 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| インダクタンス周波数 - 試験: | 250MHz |
| インダクタンス: | 2.2nH |
| 高さ - 着席（最大）: | 0.015" (0.37mm) |
| 周波数 - 自己共振: | 10.8GHz |
| 詳細な説明: | 2.2nH Unshielded Wirewound Inductor 960mA 70 mOhm Max 0402 (1005 Metric) |
| 直流抵抗（DCR）: | 70 mOhm Max |
| 定格電流: | 960mA |
| 電流 - 飽和: | - |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルの36501E2N2JTDG
最新ニュース
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量