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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 20V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 400mV @ 20mA, 500mA |
トランジスタ型式: | NPN |
サプライヤデバイスパッケージ: | MT-1-A1 |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 600mW |
パッケージング: | Tape & Box (TB) |
パッケージ/ケース: | 3-SIP |
他の名前: | 2SD1996-S(TA) 2SD19960SATB 2SD1996STA 2SD1996STB 2SD1996STB-ND |
運転温度: | 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
周波数 - トランジション: | 200MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 500mA 200MHz 600mW Through Hole MT-1-A1 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 300 @ 500mA, 2V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 100nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 500mA |
ベース部品番号: | 2SD1996 |
Email: | [email protected] |