2SA1955FVBTPL3Zは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーは2SA1955FVBTPL3Zのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
2SA1955FVBTPL3ZをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
2SA1955FVBTPL3Z
- 部品型番:
- 2SA1955FVBTPL3Z
- 説明:
- TRANS PNP 12V 0.4A VESM
- 鉛フリー:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 35325 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- 2SA1955FVBTPL3Z.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 12V |
| IB、IC @ Vce飽和（最大）: | 250mV @ 10mA, 200mA |
| トランジスタ型式: | PNP |
| サプライヤデバイスパッケージ: | VESM |
| シリーズ: | - |
| 電力 - 最大: | 100mW |
| パッケージング: | Original-Reel® |
| パッケージ/ケース: | SOT-723 |
| 他の名前: | 2SA1955FVBTPL3ZDKR |
| 運転温度: | 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 周波数 - トランジション: | 130MHz |
| 詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount VESM |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）: | 300 @ 10mA, 2V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 100nA (ICBO) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 400mA |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルの2SA1955FVBTPL3Z
最新ニュース
- 工場を建設するためのMicronの計画、NANDフラッシュメモリを高価格またはメンテナンス
- ADIの性能が低下し、銅箔基板が上昇し、元の工場の保管が生産保守派を増やしました
- 車のインテリジェンスの波が来ていて、アイマス・オスランはサギタ・ジュグアンがMX lidarをリリースするのを助けました
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする