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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 50V |
IB、IC @ Vce飽和(最大): | 700mV @ 1mA, 10mA |
トランジスタ型式: | NPN |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
電力 - 最大: | 625mW |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
周波数 - トランジション: | 30MHz |
詳細な説明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 30MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 200 @ 100µA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 50nA (ICBO) |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 100mA |
ベース部品番号: | 2N5210 |
Email: | [email protected] |