1N4007RLは今入手可能です！LYNTEAMテクノロジーは1N4007RLのストッキングディストリビューターです、私たちは即時出荷のための株式を持っています、そしてまた長い時間供給のために利用可能です。あなたの購入計画を電子メールで送ってください、私たちはあなたの計画に従ってあなたに最高の価格を与えます。
1N4007RLをLYNTEAMで購入し、お金と時間を節約してください。
私たちのEメール：[email protected]
1N4007RL
- 部品型番:
- 1N4007RL
- 説明:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
- 鉛フリー:
- リード/ RoHS非対応
- 在庫数量:
- 32204 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days
- 配達時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- 1N4007RL.pdf
簡潔な
規格
| 状況 | New & Original, tested |
|---|---|
| 原産国 | Contact us |
| タグコード | Send by email |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@: | 1.1V @ 1A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大）: | 1000V |
| サプライヤデバイスパッケージ: | DO-41 |
| 速度: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| シリーズ: | - |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| 他の名前: | 1N4007RLOSTR |
| 動作温度 - ジャンクション: | -65°C ~ 175°C |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ダイオードタイプ: | Standard |
| 詳細な説明: | Diode Standard 1000V 1A Through Hole DO-41 |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース: | 10µA @ 1000V |
| 電流 - 平均整流（イオ）: | 1A |
| Vrと、F @キャパシタンス: | - |
| ベース部品番号: | 1N4007 |
| Email: | [email protected] |
同様のモデルの1N4007RL
最新ニュース
- HBMの生産能力は除外され、DRAMメモリは今年の後半に不足している可能性があります
- 壁の創設者は終了し、HBMを終了し、ドラムを再び上昇させます
- AI携帯電話とPCの拡張需要、グローバル半導体製造業界の改善
- ネットワークセキュリティイメージセンサーのためのADAおよびキャビン監視システムのニーズを理解する
- SamsungとSK HynixがDDR3を停止し、プロモーションの見積もりが20％上昇したと噂されています
- MELEXISリリースMLX90427：新しい選択、安全、効率的、経済的へのラインコントロール
- NXPとAnsonmeiの財務報告書が発表し、銅価格の価格がIC業界に送信されます
- Moels Micro Electronicsは、ビジネス領域を拡大するために、中国の台湾に新しいオフィスを設立しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- SEF半導体（ST）の第1四半期の財務報告書が減少し、自動車の需要が低下しました
- テキサスインスツルメンツのパフォーマンスはまだ強化されており、2つのストレージ工場が新しいフラッシュメモリ製品をプッシュする
- 局所成熟チップボリューム、荷重近くのサムスンナンドフラッシュメモリ生産容量